物理与光电工程k1体育app新人权益徐永贵在快速热退火调制MOS器件性能机理方面取得重要进展，相关研究成果以“不同退火氛围对TiN/HfO2/SiO2/Si 结构电荷分布的影响”为题发表于半导体技术（DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.01.010）。 对照阅读
系统分析了两种不同的退火条件热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段，( 氨气氛围和氧气氛围) 对TiN/HfO2/SiO2/Si 结构中电荷分布的影响，给出了不同退火条件下SiO2/Si 和HfO2/SiO2界面的界面电荷密度、HfO2的体电荷密度以及HfO2 /SiO2界面的界面偶极子的数值。 相关文章研究结果表明，在氨气和氧气氛围中退火会使HfO2/SiO2界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加，而SiO2/Si 发现两种不同的退火条件都会导致界面的界面电荷密度几乎不受退火影响。最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响，TiN/HfO2/ SiO2/Si 基于退火对其电荷分布的影响研究，电容结构平带电压的正向漂移。此正向漂移主要来源于退火导致的HfO2/SiO2界面的界面偶极子的增加。
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